中科院金屬所胡衛進研究員學術報告通知

2019-09-19 15:59

報告人:胡衛進,研究員,中國科學院金屬研究所

報告時間:2019年9月21日下午3點15分

報告地點:材料學院220室

報告題目:基于鐵電鐵磁薄膜的新型信息存儲器件

報告摘要:

鐵電體具有自發鐵電極化,可經由外電場調控。利用這一特性,鐵電體在存儲器和傳感器中得到廣泛應用。新興的鐵電存儲器包括鐵電二極管,隧道結,異質結構和鐵電晶體管等,它們由電場驅動,具有較低的功耗和較高的數據存儲密度ag电子娱乐复古花园。它們的實際應用依賴于它們與現代半導體工業過程的整合,因此研究半導體/鐵電界面以及本征鐵電半導體具有重要意義。在本報告中,我將介紹我們在該領域的一些工作,包括在BiFeO3鐵電遂道結中實現巨大的隧道電阻開關比和光讀取ag电子娱乐复古花园,在半導體/鐵電異質結(BiFeO3 / Nb:SrTiO3)中實現室溫龐大持續光電導,在多鐵性隧道結(LCMO/BaTiO3/LCMO)中實現電壓輔助的磁矩180度翻轉,在In2Se3半導體材料中觀察到層狀二維鐵電性、壓電性以及二極管阻變效應。我們將探討這些新奇界面現象背后的物理機制,以及它們在信息存儲和光電探測等方面的可能應用ag电子娱乐复古花园。

報告人簡介:

胡衛進博士2005年本科畢業于哈爾濱工業大學,2011獲中國科學院金屬研究所博士學位,期間于2008年獲國家留學基金資助赴美國賓州州立大學做訪問研究。2012-2017年,先后在新加坡南洋理工大學和沙特阿卜杜拉國王科技大學從事博士后研究工作。2017年12月入職中國科學院金屬研究所,任副研究員ag电子娱乐复古花园;2019年03月起任研究員ag电子娱乐复古花园。近年來,在Nature Communications、Advanced Functional Materials,ag电子娱乐复古花园、Nano letter、ACS Applied Materials & Interfaces、Scientific Reports等期刊發表論文39余篇,在npj 2D materials and application發表二維鐵電綜述一篇。論文他引1500余次,H因子20。主要研究興趣包括低維鐵電、鐵磁、半導體薄膜及其異質結構的外延生長和制備ag电子娱乐复古花园,研究低維鐵電材料界面豐富的磁、光、電耦合效應,探索它們在現代信息存儲、驅動傳感等領域的應用。于2017年獲中科院百人計劃支持,目前主持一項國家自然科學基金面上項目, 擔任Nature communications, Advanced Materials, IEEE Transactions on Nanotechnology 等16種國際學術期刊審稿人。

近期代表性文章:

F. Xue, et al, Adv. Func. Mater. 1803738, (2018)

C. J. Cui?, F. Xue?, W. J. Hu*, L. J. Li*, npj 2D mater. & Appl., (2018)

W. J. Hu, et al., Adv. Func. Mater. 28, 1704337 (2018).

C. J. Cui,et al., Nano Lett. 18, 1253?1258 (2018).

W. J. Hu*, Z. H. Wang, W. L. Yu, & T. Wu*, Nat. Commun. 7, 10808 (2016).

W. J. Hu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces. 6, 19507-19063 (2014).

W. J. Hu, et al., Sci. Rep. 4, 4772, (2014).

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